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芯片晶圆热处理的方法与流程
- 分类： 行业知识
- 作者：超级管理员
- 来源：本站
- 发布时间：2022-11-28
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【概要描述】 作为制造半导体器件的原料之一，将二氧化硅放入坩埚炉加热熔融，用直径约10mm的棒状籽晶浸渍在熔融···
芯片晶圆热处理的方法与流程
【概要描述】 作为制造半导体器件的原料之一，将二氧化硅放入坩埚炉加热熔融，用直径约10mm的棒状籽晶浸渍在熔融···
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作为制造半导体器件的原料之一，将二氧化硅放入坩埚炉加热熔融，用直径约10mm的棒状籽晶浸渍在熔融硅中，使籽晶稍微旋转并提拉后，熔融硅中的硅原子在籽晶之后的单晶晶格排列方向上继续结晶化，芯片晶圆热处理从而制造半导体器件如果整个晶体环境稳定，就会形成重复晶体，最后形成圆柱状原子排列整齐的硅单晶，也就是硅单晶锭。 硅单晶锭接着通过切片、研磨、蚀刻、清洗、研磨等一系列晶片加工工艺加工成晶片，那么下面一起了解下芯片晶圆热处理的方法与流程吧!
但是，在硅单晶的生长过程、晶片的制造、之后的半导体器件形成的各种工艺中，由于晶体的不完全性、工艺和结构引起的应力、剪切力、或者来自外部的杂质的侵入，芯片晶圆热处理经常会产生各种形状的缺陷。 由于在这些缺陷附近的硅原子和自晶格间硅自身中存在未结合的电子，所以在半导体器件的界面和表面容易形成悬挂键，根据偏置电压的不同，栅极氧化层的崩溃电压的降低和漏电流的增加等同样地，在制造金属杂质的半导体器件的电子特性上
另外，这是因为半导体器件的尺寸越微细，载流子在高电场下得到足够的能量并发生碰撞，载流子的一部分被注入栅极氧化层。 这将引起半导体器件的性能劣化及其可靠性不良的问题。
目前常见的改进方法之一是采用氢气钝化处理技术，将制备半导体器件的晶片置于氢气气氛中退火，使悬挂键与氢气结合，芯片晶圆热处理降低悬挂键的数量和对半导体器件操作的不良影响。 此外，在半导体器件完成时，用重氢气体进行调节，重氢与三、四或五族元素通过共价键结合，形成比较稳定的结构，避免热载流子的穿透，降低漏电流，提高器件的性能和可靠性。但是，半导体器件中掺杂有多种掺杂剂，这些掺杂剂与高反应的氢气和氘气在高温环境下可能发生不同的反应，影响半导体器件的特性，因此钝化处理工艺参数的优化很困难。
芯片晶圆热处理带来提高机械强度及半导体器件成品率的效果。 但是，如果这些氧析出物存在于器件的活性区域，则会导致栅极氧化物的完整性降低、不需要的基板漏电流等问题，越来越不符合精密化的半导体器件的需求，因此，如果氧析出物形成在本体区域这样的器件活性区域以外，则可以防止半导体器件的损坏因此，如何使氧沉淀以适当的深度、密度和大小分布在晶片上，是行业持续精进的目标之一。技术实现要素：
芯片晶圆热处理提供一种在含有无氧气混合气体的气氛中放置晶片，对晶片的一面进行快速升温处理，再在含有氧气的气氛中放置晶片，对晶片的一面进行快速降温处理的方法，藉由减少结晶的原生缺陷，阻碍内质点缺陷的凝聚。
芯片晶圆热处理在含有无氧混合气体的气氛中放置晶片，对晶片的一面实施快速升温处理，进而在含有氧的气氛中放置晶片，对晶片的一面实施快速降温处理，在接近预定制造的半导体器件的地方形成体微缺陷提供一种晶片热处理方法，使器件的活性区域不形成体微缺陷，抑制位错的滑动，提高内质金属杂质的吸除效果。
芯片晶圆热处理在含有无氧气混合气体的气氛中放置至少一个晶片，对至少一个晶片的表面进行急速升温处理，升温到规定的高温的工序在执行本发明的工序时，不会同时对半导体器件的多个不同的成分和结构产生不同的影响，也不会产生不良影响为了简化优化上述工序的工序，优选在将晶片切片后到在晶片上制造多个半导体器件为止的期间进行。
以上介绍的就是芯片晶圆热处理的方法与流程，如需了解更多，可随时联系我们!
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