行业资讯-快速退火炉_液氮低温恒温器_薄膜热电参数测试仪_霍尔效应测试系统_物性测量系统

08-16 2024 

RTP快速退火炉以其快速升降温能力和高度的温度均匀性，在金属/SiC欧姆接触的制备过程中展现出了高稳定性。通过精准调控退火工艺参数，RTP能够快速激活金属与SiC界面处的化学反应，促进“化合物降低势垒”或“碳空位减薄势垒”机制的发生，从而显···

08-16 2024 

第14届无机非金属材料专题研讨会暨无机非金属材料学科优秀学者论坛于2024年8月12日至14日在湖北省武汉市成功举办。此次盛会由中国硅酸盐学会主办，武汉理工大学、湖北隆中实验室和佛山仙湖实验室联合承办，得到了《无机材料学报》等期刊的大力支持···

07-27 2024 

电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量，温度一定的情况下，电阻率的计算公式为：ρ=RS/L（ρ就是电阻率；L为材料的长度；S为面积）。变温电阻测试仪测变温电阻率是一项重要的实验手段，它对于深入理解材料的电学性质、掺···

07-19 2024 

快速退火炉作为一种快速热处理设备，在半导体工艺中扮演着至关重要的角色，特别是在合金化退火过程中，可让电极与半导体间有良好的欧姆接触，有利于克服金属与半导体界面的肖特基势垒，减小欧姆接触电阻，确保I-V曲线呈线性。一、合金化退火的···

06-26 2024 

半导体材料是现代工业中不可或缺的核心元素，它们具备独特的物理特性，能够在一定条件下调控电子的流动，从而展现出介于导体和绝缘体之间的导电性能。半导体材料的主要测试参数有霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等。霍尔系数是半导体材料在磁场中···

06-19 2024 

霍尔效应测试仪是一种广泛应用于金属、半导体、电子、无机、复合等材料科学领域的实验设备，可以帮助研究人员和工程师们更好地理解材料的电学性质。霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料···

05-30 2024 

III-V族InP/InGaAsP/InGaAs材料家族对于光电子器件非常重要，特别是在1.55和1.3μm波段的光学发射和吸收，这对于光学互连非常重要[1]。然而，InGaAsP/InGaAs通常相对于Si[2]和InP[3]具有较高的表···

05-23 2024 

β型氧化镓（β-Ga₂O₃），是一种宽带隙半导体材料，其最显著的特征是具有超宽的禁带宽度（约4.4~4.9 eV），还具有较高的击穿电场强度、较低的介电常数以及出色的热导率[1]，这些特性使得它在制造高性能电子器件[2]方面具有得天独厚的优···

05-18 2024 

2024年5月17日-20日，于辽宁锦州召开2024年全国大学生物理实验竞赛（创新）研讨会（东北地区）。此次研讨会为推动东北地区高校更加广泛参与全国大学生物理实验竞赛，进一步激发大学生对大学物理基础课程的学习兴趣和学习潜能，培养学生的创新精···

05-17 2024 

碳化硅（SiC）是一种优异的第三代半导体材料。其中，3C-SiC（立方相碳化硅）相对于其他SiC晶型（如4H-SiC和6H-SiC）具有一些优点[1]，如与硅技术集成性好、较低的晶格失配、较高的载流子迁移率、成本相对较低，在以下领域有独特的···