行业知识-快速退火炉_液氮低温恒温器_薄膜热电参数测试仪_霍尔效应测试系统_物性测量系统

07-27 2024 

电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量，温度一定的情况下，电阻率的计算公式为：ρ=RS/L（ρ就是电阻率；L为材料的长度；S为面积）。变温电阻测试仪测变温电阻率是一项重要的实验手段，它对于深入理解材料的电学性质、掺···

07-19 2024 

快速退火炉作为一种快速热处理设备，在半导体工艺中扮演着至关重要的角色，特别是在合金化退火过程中，可让电极与半导体间有良好的欧姆接触，有利于克服金属与半导体界面的肖特基势垒，减小欧姆接触电阻，确保I-V曲线呈线性。一、合金化退火的···

06-26 2024 

半导体材料是现代工业中不可或缺的核心元素，它们具备独特的物理特性，能够在一定条件下调控电子的流动，从而展现出介于导体和绝缘体之间的导电性能。半导体材料的主要测试参数有霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等。霍尔系数是半导体材料在磁场中···

06-19 2024 

霍尔效应测试仪是一种广泛应用于金属、半导体、电子、无机、复合等材料科学领域的实验设备，可以帮助研究人员和工程师们更好地理解材料的电学性质。霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料···

05-30 2024 

III-V族InP/InGaAsP/InGaAs材料家族对于光电子器件非常重要，特别是在1.55和1.3μm波段的光学发射和吸收，这对于光学互连非常重要[1]。然而，InGaAsP/InGaAs通常相对于Si[2]和InP[3]具有较高的表···

05-23 2024 

β型氧化镓（β-Ga₂O₃），是一种宽带隙半导体材料，其最显著的特征是具有超宽的禁带宽度（约4.4~4.9 eV），还具有较高的击穿电场强度、较低的介电常数以及出色的热导率[1]，这些特性使得它在制造高性能电子器件[2]方面具有得天独厚的优···

05-17 2024 

碳化硅（SiC）是一种优异的第三代半导体材料。其中，3C-SiC（立方相碳化硅）相对于其他SiC晶型（如4H-SiC和6H-SiC）具有一些优点[1]，如与硅技术集成性好、较低的晶格失配、较高的载流子迁移率、成本相对较低，在以下领域有独特的···

05-09 2024 

拉伸测试，作为材料力学的重要评估手段，旨在揭示材料在拉伸应力作用下的行为特性。测试过程中，一端固定材料，另一端施加拉力并逐渐增加，同时记录材料的应力与应变变化。通过应力-应变曲线的分析，可获取材料的关键性能参数。这些参数包括但不限于：抗拉强···

04-25 2024 

金刚石，这种自然界中最坚硬的物质，因其独特的物理和电学性能，在高功率电子器件领域引起了广泛的关注。其优异的宽带隙、高击穿场强度、高载流子迁移率、低介电常数以及高导热系数等特性[1,2]，使得金刚石在电子器件领域具有无可比拟的优势。然而，如何···

04-16 2024 

介电性能，作为材料在电场作用下的响应能力的度量，是评估材料电性质不可或缺的关键指标。通过对其进行全面细致的测试，我们可以精确掌握材料在电场作用下的各项性能参数，包括但不限于介电常数、介电损耗、绝缘强度以及介电击穿电压等。介电常数，这一物理量···